MG75J1ZS50 - аналоги и описание IGBT

 

MG75J1ZS50 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG75J1ZS50

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG75J1ZS50

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG75J1ZS50 даташит

 ..1. Size:300K  toshiba
mg75j1zs50.pdfpdf_icon

MG75J1ZS50

 6.1. Size:253K  toshiba
mg75j1zs40.pdfpdf_icon

MG75J1ZS50

This datasheet has been downloaded from www.DatasheetCatalog.com Datasheets for electronic components.

 8.1. Size:213K  toshiba
mg75j1bs11.pdfpdf_icon

MG75J1ZS50

This datasheet has been downloaded from www.DatasheetCatalog.com Datasheets for electronic components.

 8.2. Size:445K  macmic
mmg75j120uz.pdfpdf_icon

MG75J1ZS50

MMG75J120UZ 1200V 75A IGBT Module April 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High Short Circuit Capability Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Ultra Low Loss,High Ruggedness Popular SOT-227 Package APPLICATIONS Invertor Convertor Welder SMPS and UPS Induction Heating IGBT

Другие IGBT... MG50Q1BS11 , MG50Q2YS40 , MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , IRG4PC40W , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.