Справочник IGBT. NXH80T120L2Q0PG

 

NXH80T120L2Q0PG Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NXH80T120L2Q0PG
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.17 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 592 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NXH80T120L2Q0PG Datasheet (PDF)

 0.1. Size:175K  onsemi
 nxh80t120l2q0pg.pdf pdf_icon

NXH80T120L2Q0PG

NXH80T120L2Q0PG,NXH80T120L2Q0SGAdvance InformationT-Type, Neutral PointClamp Modulewww.onsemi.comThis high-density, integrated power module combineshigh-performance IGBTs with rugged anti-parallel diodes for sinewave inverter applications.80 A, 1200 V (Bridge)50 A, 600 V (Neutral Point Clamp)FeaturesT Type Neutral Point Clamp Extremely Efficient Trench IGBT with

 1.1. Size:175K  onsemi
 nxh80t120l2q0.pdf pdf_icon

NXH80T120L2Q0PG

NXH80T120L2Q0PG,NXH80T120L2Q0SGAdvance InformationT-Type, Neutral PointClamp Modulewww.onsemi.comThis high-density, integrated power module combineshigh-performance IGBTs with rugged anti-parallel diodes for sinewave inverter applications.80 A, 1200 V (Bridge)50 A, 600 V (Neutral Point Clamp)FeaturesT Type Neutral Point Clamp Extremely Efficient Trench IGBT with

Другие IGBT... MIXG240W1200TEH , MP6750 , MP6752 , MP6753 , MP6757 , MSAGA11F120D , MUBW30-12A6 , NXH80T120L2Q0 , CRG60T60AN3H , PDMB200E6 , PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 .

History: OST75N65HSXF | YGK20N65T2 | NGTB40N60FL2WG | NGTG15N120FL2WG | IXA20PG1200DHGLB | IRGI4086 | APT20GF120BRG

 

 
Back to Top

 


 
.