NXH80T120L2Q0PG - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: NXH80T120L2Q0PG
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.17 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 592 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для NXH80T120L2Q0PG
NXH80T120L2Q0PG Datasheet (PDF)
nxh80t120l2q0pg.pdf
NXH80T120L2Q0PG,NXH80T120L2Q0SGAdvance InformationT-Type, Neutral PointClamp Modulewww.onsemi.comThis high-density, integrated power module combineshigh-performance IGBTs with rugged anti-parallel diodes for sinewave inverter applications.80 A, 1200 V (Bridge)50 A, 600 V (Neutral Point Clamp)FeaturesT Type Neutral Point Clamp Extremely Efficient Trench IGBT with
nxh80t120l2q0.pdf
NXH80T120L2Q0PG,NXH80T120L2Q0SGAdvance InformationT-Type, Neutral PointClamp Modulewww.onsemi.comThis high-density, integrated power module combineshigh-performance IGBTs with rugged anti-parallel diodes for sinewave inverter applications.80 A, 1200 V (Bridge)50 A, 600 V (Neutral Point Clamp)FeaturesT Type Neutral Point Clamp Extremely Efficient Trench IGBT with
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2