NXH80T120L2Q0PG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: NXH80T120L2Q0PG

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 146 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.17 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 592 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 840 nC

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для NXH80T120L2Q0PG

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NXH80T120L2Q0PG даташит

 0.1. Size:175K  onsemi
 nxh80t120l2q0pg.pdf pdf_icon

NXH80T120L2Q0PG

NXH80T120L2Q0PG, NXH80T120L2Q0SG Advance Information T-Type, Neutral Point Clamp Module www.onsemi.com This high-density, integrated power module combines high-performance IGBTs with rugged anti-parallel diodes for sine wave inverter applications. 80 A, 1200 V (Bridge) 50 A, 600 V (Neutral Point Clamp) Features T Type Neutral Point Clamp Extremely Efficient Trench IGBT with

 1.1. Size:175K  onsemi
 nxh80t120l2q0.pdf pdf_icon

NXH80T120L2Q0PG

NXH80T120L2Q0PG, NXH80T120L2Q0SG Advance Information T-Type, Neutral Point Clamp Module www.onsemi.com This high-density, integrated power module combines high-performance IGBTs with rugged anti-parallel diodes for sine wave inverter applications. 80 A, 1200 V (Bridge) 50 A, 600 V (Neutral Point Clamp) Features T Type Neutral Point Clamp Extremely Efficient Trench IGBT with

Другие IGBT... MIXG240W1200TEH, MP6750, MP6752, MP6753, MP6757, MSAGA11F120D, MUBW30-12A6, NXH80T120L2Q0, SGT40N60FD2PN, PDMB200E6, PM100CBS060, PM15CMA060, PM25CL1A120, PS21265-AP, PS21265-P, PSTG25HDT12, PSTG25HTT12