NGD8201AN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: NGD8201AN
Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 440 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 15 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 2.1 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 6000 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 80 pF
Тип корпуса: DPAK
NGD8201AN Datasheet (PDF)
ngd8201n ngd8201an.pdf
NGD8201N, NGD8201ANIgnition IGBT20 A, 400 V, N-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses http://onsemi.cominclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required. 20 A
ngd8201a.pdf
NGD8201N, NGD8201ANIgnition IGBT20 A, 400 V, N-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Overvoltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses http://onsemi.cominclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required. 20 A
ngd8201bnt4g.pdf
NGD8201BIgnition IGBT, 20 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary useswww.onsemi.cominclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required.20 AMPS, 400 VO
ngd8201b.pdf
NGD8201BIgnition IGBT, 20 A, 400 VN-Channel DPAKThis Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuresmonolithic circuitry integrating ESD and Over-Voltage clampedprotection for use in inductive coil drivers applications. Primary useswww.onsemi.cominclude Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high voltage andhigh current switching is required.20 AMPS, 400 VO
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , JT075N065WED , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2