FMG2G400US60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: FMG2G400US60  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1136 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 240 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для FMG2G400US60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FMG2G400US60 даташит

 ..1. Size:568K  1
 fmg2g400us60.pdf pdf_icon

FMG2G400US60

IGBT FMG2G400US60 Molding Type Module General Description Fairchild IGBT Power Module provides low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. It s designed for the applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short-circuit ruggedness is required. Features Short Circuit Rated Time; 10us @ TC =100 C,

 9.1. Size:95K  chenmko
 chfmg2gp.pdf pdf_icon

FMG2G400US60

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHFMG2GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 30 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74A) SC-74A * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capability.

Другие IGBT... PS21265-P, PSTG25HDT12, PSTG25HTT12, PSTG50HST12, PSTG75HST12, GT15Q102, MSG50N350FH, NGD8201AN, JT075N065WED, BT40T60ANF, GT40QR21, IHW15N120R2, IXBH15N140, IXBH15N160, IXBH15N170, IXBH9N140, IXBH9N160