FMG2G400US60 - аналоги и описание IGBT

 

FMG2G400US60 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: FMG2G400US60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1136 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 240 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FMG2G400US60

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры FMG2G400US60

 ..1. Size:568K  1
 fmg2g400us60.pdf pdf_icon

FMG2G400US60

IGBT FMG2G400US60 Molding Type Module General Description Fairchild IGBT Power Module provides low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. It s designed for the applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short-circuit ruggedness is required. Features Short Circuit Rated Time; 10us @ TC =100 C,

 9.1. Size:95K  chenmko
 chfmg2gp.pdf pdf_icon

FMG2G400US60

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHFMG2GP SURFACE MOUNT Dual Digital Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 30 mAmpere APPLICATION * Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit. FEATURE * Small surface mounting type. (SC-74A) SC-74A * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector-emitter saturation. * High saturation current capability.

Другие IGBT... PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN , JT075N065WED , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 .

 

 
Back to Top

 


 
.