Справочник IGBT. FMG2G400US60

 

FMG2G400US60 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FMG2G400US60
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1136 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 240 nS
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1200 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FMG2G400US60

 

 

FMG2G400US60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:568K  1
 fmg2g400us60.pdf

FMG2G400US60 FMG2G400US60

IGBTFMG2G400US60Molding Type ModuleGeneral DescriptionFairchild IGBT Power Module provides low conduction andswitching losses as well as short circuit ruggedness. Itsdesigned for the applications such as motor control,uninterrupted power supplies (UPS) and general inverterswhere short-circuit ruggedness is required.Features Short Circuit Rated Time; 10us @ TC =100C,

 9.1. Size:95K  chenmko
 chfmg2gp.pdf

FMG2G400US60 FMG2G400US60

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHFMG2GPSURFACE MOUNTDual Digital Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 30 mAmpereAPPLICATION* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.FEATURE* Small surface mounting type. (SC-74A)SC-74A* High current gain. * Suitable for high packing density.* Low colloector-emitter saturation.* High saturation current capability.

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top