MBQ40T65FDSC - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MBQ40T65FDSC

Маркировка: 40T65FDSC

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 54

Емкость коллектора (Cc), pf: 209

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MBQ40T65FDSC

MBQ40T65FDSC Datasheet (PDF)

0.1. mbq40t65fdsc.pdf Size:1591K _1

MBQ40T65FDSC650V Field Stop IGBTGeneral Description Features High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V CE(sat) = 1.95V @ I C = 40A Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching E = 0.35mJ @ T = 25C off C series and excellent quality. High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1000

8.1. mbq40t120fes.pdf Size:1275K _magnachip

MBQ40T120FES High speed FieldStop Trench IGBT Features General Description High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 2.0V @ I = 40A Stop Trench IGBT Technology, which provides low V , CE(sat) C CE(SAT)high switching performance and excellent quality. High Input Impedance trr = 100ns (typ.) This de

Другие IGBT... IXBH15N160 , IXBH15N170 , IXBH9N140 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , IRG4PC60F , 2PG011 , BT60N60ANF , GT50N324 , MGD622 , FGA40N65SMD , FGL40N120AND , , .