MM20G3T135B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MM20G3T135B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 18 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MM20G3T135B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MM20G3T135B даташит

 ..1. Size:342K  macmic
 mm20g3t135b.pdf pdf_icon

MM20G3T135B

MM20G3T135B 1350V 20A IGBT April 2020 Version 02 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES 1350V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery 1 2 3 APPLICATIONS Induction Heating 1.Gate Soft Switching Application

 8.1. Size:511K  macmic
 mm20g3r135b.pdf pdf_icon

MM20G3T135B

MM20G3R135B 1350V 20A RC- IGBT March 2018 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES 1350V Reverse conducting IGBT with monolithic body diode VCE(sat) with positive temperature coefficient Low switching losses Low EMI 1 2 3 APPLICATIONS HInductive cooking 1.Gate Inverterized microwave ovens 2.Collector 3.Emitter Resonant converters Soft switchi

Другие IGBT... GT50N324, MGD622, FGA40N65SMD, FGL40N120AND, MM10G3T120B, MM120G3T65BM, MM15G3T120B, MM20G3R135B, GT30G122, MM25G3T120B, MM25G3U120BX, MM40G3T120B, MM40G3U120B, MM40G3U120BX, MM40G3U65B, MM40G3U65BN, MM50G3T120BM