MM60G3U65B - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MM60G3U65B

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MM60G3U65B

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MM60G3U65B даташит

 ..1. Size:330K  macmic
 mm60g3u65b.pdf pdf_icon

MM60G3U65B

MM60G3U65B 650V 60A IGBT December 2019 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES 650V IGBT chip in trench FS-technology Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery 1 2 3 APPLICATIONS High frequency switching application 1.Gate Medical

 9.1. Size:274K  macmic
 mm60g60b.pdf pdf_icon

MM60G3U65B

MM60G60B 600V 60A IGBT January 2013 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Low switching losses Low EMI Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching losses APPLICATIONS High frequency switching application Medical applications Motion/servo control UPS systems ABSOLUTE MAX

Другие IGBT... MM25G3U120BX, MM40G3T120B, MM40G3U120B, MM40G3U120BX, MM40G3U65B, MM40G3U65BN, MM50G3T120BM, MM50G3U120BMX, GT30F125, MM75G3T65B, MMG100D170B, MMG100D170B6TC, MMG100H120H6HN, MMG100HB060B6EN, MMG100J120U6HN, MMG100J120U6T4N, MMG100J120U6TC