IRG4ZH50KD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG4ZH50KD  📄📄 

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 54 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.79 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 190 nC

Тип корпуса: SMD10

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG4ZH50KD

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4ZH50KD даташит

 ..1. Size:243K  international rectifier
 irg4zh50kd.pdf pdf_icon

IRG4ZH50KD

PD - 9.1680 IRG4ZH50KD Surface Mountable Short INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Circuit Rated UltraFast IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C n-channel High short circuit rating optimized for motor control, tsc = 10 s, VCES = 1200V VCC = 720V, TJ = 125 C, VGE = 15V IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft VCE(ON)typ = 2.79V recovery antiparallel dio

 8.1. Size:234K  international rectifier
 irg4zh71kd.pdf pdf_icon

IRG4ZH50KD

PD - 91729 PRELIMINARY IRG4ZH71KD Surface Mountable INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit Rated ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast IGBT Features High short circuit rating optimized for motor C n-channel control, tsc =10 s, VCC = 720V , TJ = 125 C, VCES = 1200V VGE = 15V IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, VCE(ON)typ = 2.89V ultra-soft-

 8.2. Size:233K  international rectifier
 irg4zh70ud.pdf pdf_icon

IRG4ZH50KD

PD - 9.1627A IRG4ZH70UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Surface Mountable ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT Features C n-channel UltraFast IGBT optimized for high switching frequencies VCES = 1200V IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, ultra-soft recovery antiparallel diodes for use in bridge configurations VCE(ON)typ = 2.23V Low Gate Charge G

 9.1. Size:218K  international rectifier
 irg4zc70ud.pdf pdf_icon

IRG4ZH50KD

PD -9.1668A IRG4ZC70UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Surface Mountable ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast CoPack IGBT Features C n-channel UltraFast IGBT optimized for high switching frequencies VCES = 600V IGBT co-packaged with HEXFRED ultrafast, ultra-soft recovery antiparallel diodes for use in bridge configurations VCE(ON)typ = 1.5V Low gate charge G Low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4RC10K, IRG4RC10KD, IRG4RC10S, IRG4RC10SD, IRG4RC10U, IRG4RC10UD, IRG4ZC70UD, IRG4ZC71KD, IRGP4066D, IRG4ZH70UD, IRG4ZH71KD, IRGBC20S, IRGBC30S, IRGBC40S, IRGS14B40L, IRGS14C40L, IXDA20N120AS