IRGBC40S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IRGBC40S
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 140 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 62 nC
Тип корпуса: TO220AB
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IRGBC40S Datasheet (PDF)
irgbc40s.pdf

PD - 9.690AIRGBC40SINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBTFeaturesC Switching-loss rating includes all "tail" lossesVCES = 600V Optimized for line frequency operation ( to 400 Hz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curveVCE(sat) 1.8VG@VGE = 15V, IC = 31AEn-channelDescriptionInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rect
irgbc40u.pdf

PD - 9.683AIRGBC40UINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast IGBTFeaturesC Switching-loss rating includes all "tail" lossesVCES = 600V Optimized for high operating frequency (over 5kHz)See Fig. 1 for Current vs. Frequency curveVCE(sat) 3.0VG@VGE = 15V, IC = 20AEn-channelDescriptionInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Rectifier h
irgbc40k-s.pdf

PD - 9.1134IRGBC40K-SINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit RatedUltraFast Fast IGBT.A=JKHAIC Short circuit rated - 10s @ 125C, VGE = 15VVCES = 600V Switching-loss rating includes all "tail" losses Optimized for high operating frequency (over5kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency VCE(sat) 3.2VGcurve@VGE = 15V, IC = 25AEn-channelDescr
irgbc40f.pdf

PD - 9.691AIRGBC40FINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBTFeaturesC Switching-loss rating includes all "tail" lossesVCES = 600V Optimized for medium operating frequency ( 1 to 10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curveVCE(sat) 2.0VG@VGE = 15V, IC = 27AEn-channelDescriptionInsulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) from International Recti
Другие IGBT... IRG4RC10UD , IRG4ZC70UD , IRG4ZC71KD , IRG4ZH50KD , IRG4ZH70UD , IRG4ZH71KD , IRGBC20S , IRGBC30S , TGD30N40P , IRGS14B40L , IRGS14C40L , IXDA20N120AS , IXDH20N120 , IXDH20N120D1 , IXDH30N120 , IXDH30N120AU1 , IXDH30N120D1 .
History: IXGR32N170AH1 | 1MB10D-120 | NTE3311 | APT50GT120B2RDLG | VWI15-12P1
History: IXGR32N170AH1 | 1MB10D-120 | NTE3311 | APT50GT120B2RDLG | VWI15-12P1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor