MMGT200Q120B6C - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MMGT200Q120B6C

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 1250

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 320

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.75

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 70

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 980

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для MMGT200Q120B6C

MMGT200Q120B6C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1334K  macmic
 mmgt200q120b6c.pdf

MMGT200Q120B6C1200V 200A IGBT ModuleJune 2018 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) High short circuit capability,self limiting short circuit current VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching lossesAPP

 9.1. Size:162K  macmic
 mmgt25h120xb6c.pdf

MMGT25H120XB6C1200V 25A PIM ModuleSeptember 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES High level of integration IGBT CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Industry standard package with insulated copper ba

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , HCKZ75N65BH2 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .