FGA25S125P - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

FGA25S125P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: FGA25S125P
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1250 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 250 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 204 nC
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для FGA25S125P

 

FGA25S125P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:627K  onsemi
 fga25s125p.pdf pdf_icon

FGA25S125P

FGA25S125P 1250 V, 25 A Shorted-anode IGBT Features General Description High Speed Switching Using advanced field stop trench and shorted-anode technol- Low Saturation Voltage VCE(sat) = 1.8 V @ IC = 25 A ogy, ON Semiconductor's shorted-anode trench IGBTs offer High Input Impedance superior con-duction and switching performances for soft switching applications. The devi

 9.1. Size:653K  fairchild semi
 fga25n120antdtu f109.pdf pdf_icon

FGA25S125P

u July, 2007 FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD_F109 tm 1200V NPT Trench IGBT Features Description NPT Trench Technology, Positive temperature coefficient Using Fairchild's proprietary trench design and advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers superior conduction Low saturation voltage VCE(sat), typ = 2.0V and switching performances, high avalanche ruggedness and @ IC

 9.2. Size:687K  fairchild semi
 fga25n120ftd.pdf pdf_icon

FGA25S125P

February 2009 FGA25N120FTD tm 1200V, 25A Trench IGBT Features Field stop trench technology General Description High speed switching Using advanced field stop trench technology, Fairchild s 1200V Low saturation voltage VCE(sat) =1.6V @ IC = 25A trench IGBTs offer superior conduction and switching perfor- High input impedance mances, and easy parallel operation wit

 9.3. Size:1382K  onsemi
 fga25n120antdtu.pdf pdf_icon

FGA25S125P

FGA25N120ANTDTU 1200 V, 25 A NPT Trench IGBT Features Description NPT Trench Technology, Positive Temperature Coefficient Using ON Semiconductor's proprietary trench design and Low Saturation Voltage VCE(sat), typ = 2.0 V advanced NPT technology, the 1200V NPT IGBT offers @ IC = 25 A and TC = 25 C superior conduction and switching performances, high avalanche ruggedness an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MMGT50H120X6C , MMGT50W120X6C , MMGT50W120XB6C , MMGT75H120X6C , MMGT75W120X6C , MMGT75W120XB6C , MMGT75WD120XB6C , MMGTU75J120U , FGH75T65UPD , JT015N065FED , 2M410A , 2M410B , 2M410B1 , 2M410V , 2M410V1 , 2M410G , CI20T120P .

 

 
Back to Top

 


 
.