IHW15N120E1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IHW15N120E1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 24 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IHW15N120E1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHW15N120E1 даташит

 ..1. Size:1900K  1
 ihw15n120e1.pdf pdf_icon

IHW15N120E1

Resonant Soft-Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switching IHW15N120E1 Data sheet Industrial Power Control IHW15N120E1 Resonant Soft-Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applic

 ..2. Size:1995K  infineon
 ihw15n120e1.pdf pdf_icon

IHW15N120E1

Resonant Soft-Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switching IHW15N120E1 Data sheet Industrial Power Control IHW15N120E1 Resonant Soft-Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applic

 5.1. Size:569K  1
 ihw15n120r2 h15r1202.pdf pdf_icon

IHW15N120E1

IHW15N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers G E - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior Low EMI

 5.2. Size:1849K  infineon
 ihw15n120r3.pdf pdf_icon

IHW15N120E1

IHW15N120R3 Resonant Switching Series Reverse conducting IGBT with monolithic body diode C Features Powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applications offers - very tight parameter distribution G - high ruggedness, temperature stable behavior E - low V CEsat - easy parallel switching capability

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JT015N065FED, 2M410A, 2M410B, 2M410B1, 2M410V, 2M410V1, 2M410G, CI20T120P, IKW50N60H3, RJH3044, XNF15N60T, YGW60N65F1A1, SGT60N60FD1PN, SGT60N60FD1P7, FGH40T120SMD, FGH50T65SQD, NCE15TD60BD