YGW60N65F1A1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: YGW60N65F1A1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 79 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналог (замена) для YGW60N65F1A1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

YGW60N65F1A1 даташит

 ..1. Size:522K  1
 ygw60n65f1a1.pdf pdf_icon

YGW60N65F1A1

YGW60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT Lu-Semi 650V Trench Field Stop IGBTs offer V 650 V CE low switching losses, high energy efficiency I 60 A C and high avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) C FEATURES High breakdown voltage up to 650V for improved reliability Trench-Stop Technology of

 ..2. Size:422K  cn luxin semi
 ygw60n65f1a1.pdf pdf_icon

YGW60N65F1A1

YGW60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 60 A C improved reliability V I =60A 1.85 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

 3.1. Size:433K  cn luxin semi
 ygw60n65f1a2.pdf pdf_icon

YGW60N65F1A1

YGW60N65F1A2 650V /60A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 60 A C improved reliability V I =60A 1.85 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

 6.1. Size:406K  cn luxin semi
 ygw60n65t1.pdf pdf_icon

YGW60N65F1A1

YGW60N65T1 650V /60A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 60 A C improved reliability V I =60A 1.85 V Trench-Stop Technology offering CE(SAT) C High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2M410B1, 2M410V, 2M410V1, 2M410G, CI20T120P, IHW15N120E1, RJH3044, XNF15N60T, FGH30S130P, SGT60N60FD1PN, SGT60N60FD1P7, FGH40T120SMD, FGH50T65SQD, NCE15TD60BD, NCE15TD60B, NCE15TD60BF, NCE80TD65BP