NCE15TD60BF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NCE15TD60BF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для NCE15TD60BF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE15TD60BF даташит

 ..1. Size:757K  1
nce15td60bd nce15td60b nce15td60bf.pdfpdf_icon

NCE15TD60BF

 ..2. Size:757K  ncepower
nce15td60bd nce15td60b nce15td60bf.pdfpdf_icon

NCE15TD60BF

 ..3. Size:1328K  ncepower
nce15td60bf.pdfpdf_icon

NCE15TD60BF

Pb Free Product NCE15TD60BF 600V, 15A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 600V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V CE(sat) High speed switching

 4.1. Size:1123K  ncepower
nce15td60bt.pdfpdf_icon

NCE15TD60BF

Pb Free Product NCE15TD60BT 600V, 15A, Trench FS II Fast IGBT General Description Using NCE's proprietary trench design and advanced FS (Field Stop) second generation technology, the 600V Trench FSII IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench FSII Technology offering Very low V CE(sat) High speed switching

Другие IGBT... XNF15N60T, YGW60N65F1A1, SGT60N60FD1PN, SGT60N60FD1P7, FGH40T120SMD, FGH50T65SQD, NCE15TD60BD, NCE15TD60B, GT60N321, NCE80TD65BP, NCE80TD65BT, SGT60T65FD1PN, SGT60T65FD1P7, SGT60T65FD1PS, SGT60T65FD1PT, GPK100HF120D1, GPK200HF120D2