SGT60T65FD1PN - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги SGT60T65FD1PN. Основные параметры


   Наименование: SGT60T65FD1PN
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 190 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SGT60T65FD1PN

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SGT60T65FD1PN даташит

 ..1. Size:558K  1
 sgt60t65fd1pn sgt60t65fd1p7 sgt60t65fd1ps sgt60t65fd1pt.pdf pdf_icon

SGT60T65FD1PN

SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT 60A 650V C 2 SGT60T65FD1P7/PN/PS/PT Field 1 G Stop UPS SMPS PFC 1 3 2 3 TO-3P E 60A 650V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A

 9.1. Size:281K  1
 sgt60u65fd1pn sgt60u65fd1pt.pdf pdf_icon

SGT60T65FD1PN

Silan Microelectronics SGT60U65FD1PN(PT)(P7)_Datasheet 60A, 650V FIELD STOP IGBT DESCRIPTION C 2 The SGT60U65FD1PN(PT)(P7) field stop IGBT adopts Silan Field Stop 1 IV+ technology, features low conduction loss and switching loss, is G applicable to UPS, SMPS and PFC fields. FEATURES 3 E 60A, 650V, VCE(sat)(typ.)=2.0V@IC=60A Low conduction loss Fast switchin

 9.2. Size:319K  silan
 sgt60u65fd1pn sgt60u65fd1pt sgt60u65fd1p7.pdf pdf_icon

SGT60T65FD1PN

 9.3. Size:326K  silan
 sgt60n60fd1pn sgt60n60fd1p7.pdf pdf_icon

SGT60T65FD1PN

SGT60N60FD1PN/P7 60A 600V C 2 SGT60N60FD1PN/P7 Field Stop 1 G UPS,SMPS PFC 3 E 60A 600V VCE(sat)( )=2.2V@IC=60A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SGT60N60FD1P7 , FGH40T120SMD , FGH50T65SQD , NCE15TD60BD , NCE15TD60B , NCE15TD60BF , NCE80TD65BP , NCE80TD65BT , IKW40N65WR5 , SGT60T65FD1P7 , SGT60T65FD1PS , SGT60T65FD1PT , GPK100HF120D1 , GPK200HF120D2 , GPU100HF120D1 , GPU150HF120D2 , GPU200HF120D2 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.