GPU200HF120D2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: GPU200HF120D2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 862 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 133 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2400 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для GPU200HF120D2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GPU200HF120D2 даташит

 ..1. Size:454K  cn hmsemi
 gpu200hf120d2.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2

GPU200HF120D2 IGBT Module 1200V/200A 2 in one-package Features 1200V200A,V =3.2V@200A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 62mm half bridge module General Description Daxin s IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications. Absolut

 0.1. Size:1718K  cn daxin
 gpu200hf120d2se.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2

GPU200HF120D2SE 1200V/200A 2 in one-package Preliminary Data Features 1200V/200A,VCE =2.30V (sat)(typ) SPT Soft Punch Through technology Lower losses Higher system efficiency Excellent short-circuit capability Square RBSOA General Applications Daxin s IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive heating, UPS and other high frequ

Другие IGBT... SGT60T65FD1PN, SGT60T65FD1P7, SGT60T65FD1PS, SGT60T65FD1PT, GPK100HF120D1, GPK200HF120D2, GPU100HF120D1, GPU150HF120D2, TGAN40N60FD, GPU50HF120D1, GPU75HF120D1, HM15N120A, HM20N120AB, HM20N120T, HM20N120TB, HM25N120T, HMG15N60