Справочник IGBT. GPU200HF120D2

 

GPU200HF120D2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GPU200HF120D2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 862 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 133 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2400 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для GPU200HF120D2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GPU200HF120D2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:454K  cn hmsemi
 gpu200hf120d2.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2

GPU200HF120D2IGBT Module 1200V/200A 2 in one-package Features 1200V200A,V =3.2V@200A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 62mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications. Absolut

 0.1. Size:1718K  cn daxin
 gpu200hf120d2se.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2

GPU200HF120D2SE1200V/200A 2 in one-package Preliminary DataFeatures 1200V/200A,VCE =2.30V(sat)(typ) SPTSoft Punch Throughtechnology Lower losses Higher system efficiency Excellent short-circuit capability Square RBSOAGeneral ApplicationsDaxins IGBTs offer ultrafast switching speedfor application such as welding, inductiveheating, UPS and other high frequ

Другие IGBT... SGT60T65FD1PN , SGT60T65FD1P7 , SGT60T65FD1PS , SGT60T65FD1PT , GPK100HF120D1 , GPK200HF120D2 , GPU100HF120D1 , GPU150HF120D2 , IRG4PC50W , GPU50HF120D1 , GPU75HF120D1 , HM15N120A , HM20N120AB , HM20N120T , HM20N120TB , HM25N120T , HMG15N60 .

History: IXGH15N120BD1

 

 
Back to Top

 


 
.