Справочник IGBT. YGW40N65F1

 

YGW40N65F1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGW40N65F1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 90 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

YGW40N65F1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:599K  1
 ygw40n65f1.pdf pdf_icon

YGW40N65F1

YGW40N65F1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V

 ..2. Size:412K  cn luxin semi
 ygw40n65f1.pdf pdf_icon

YGW40N65F1

YGW40N65F1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V

 0.1. Size:412K  cn luxin semi
 ygw40n65f1a1.pdf pdf_icon

YGW40N65F1

YGW40N65F1A1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

 0.2. Size:412K  cn luxin semi
 ygw40n65f1a2.pdf pdf_icon

YGW40N65F1

YGW40N65F1A2 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A Cimproved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KDG40R12KT3 , CRG60T60AN3H , FGPF70N33BT , MBQ40T65QES , SSG55N60M , SSG55N60Z , SSG55N60N , SSG55N60P , BT40T60ANF , AOD5B65M1 , AOTF15B65M1 , CRG15T120BNR3S , GPU200HF120D2SE , RCF1565SL1 , RCP1565SL1 , RCB1565SL1 , RCD1565SL1 .

History: GPU100HF120D1 | RJH60F4DPK

 

 
Back to Top

 


 
.