YGW40N65F1 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: YGW40N65F1  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для YGW40N65F1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

YGW40N65F1 даташит

 ..1. Size:599K  1
 ygw40n65f1.pdf pdf_icon

YGW40N65F1

YGW40N65F1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A C improved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V

 ..2. Size:412K  cn luxin semi
 ygw40n65f1.pdf pdf_icon

YGW40N65F1

YGW40N65F1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A C improved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V

 0.1. Size:412K  cn luxin semi
 ygw40n65f1a1.pdf pdf_icon

YGW40N65F1

YGW40N65F1A1 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A C improved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

 0.2. Size:412K  cn luxin semi
 ygw40n65f1a2.pdf pdf_icon

YGW40N65F1

YGW40N65F1A2 650V /40A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 40 A C improved reliability V I =40A 1.80 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering High speed switching High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KDG40R12KT3, CRG60T60AN3H, FGPF70N33BT, MBQ40T65QES, SSG55N60M, SSG55N60Z, SSG55N60N, SSG55N60P, FGA25N120ANTD, AOD5B65M1, AOTF15B65M1, CRG15T120BNR3S, GPU200HF120D2SE, RCF1565SL1, RCP1565SL1, RCB1565SL1, RCD1565SL1