CRG15T120BNR3S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CRG15T120BNR3S  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 35 pF

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CRG15T120BNR3S

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CRG15T120BNR3S даташит

 ..1. Size:484K  wuxi china
 crg15t120bnr3s.pdf pdf_icon

CRG15T120BNR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG15T120BNR3S General Description VCES 1200 V Using CRM's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 15 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1200V Trench FS Ptot (TC=25 ) 156 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness. TO-3P N Features T

 4.1. Size:1087K  wuxi china
 crg15t120bk3sd.pdf pdf_icon

CRG15T120BNR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG15T120BK3SD General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced Field IC 15 A Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching 236 W Ptot TC=25 VCE(sat) 2.0 V performances. RoHS Compliant. TO-247 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturati

 8.1. Size:1352K  wuxi china
 crg15t60a83l crg15t60a93l.pdf pdf_icon

CRG15T120BNR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG15T60A83L, CRG15T60A93L General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced IC 15 A VCE(sat) 1.7 V Field Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching performances. RoHS Compliant. TO-220 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VC

 8.2. Size:1253K  wuxi china
 crg15t60a94s crg15t60a84s.pdf pdf_icon

CRG15T120BNR3S

Silicon FS Trench IGBT CRG15T60A94S CRG15T60A84S General Description VCES 600 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced IC 15 A VCE(sat) 1.55 V Field Stop (FS) technology, offering superior conduction and switching performances. RoHS Compliant. TO-220 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MBQ40T65QES, SSG55N60M, SSG55N60Z, SSG55N60N, SSG55N60P, YGW40N65F1, AOD5B65M1, AOTF15B65M1, YGW40N65F1, GPU200HF120D2SE, RCF1565SL1, RCP1565SL1, RCB1565SL1, RCD1565SL1, KGF65A6H, MGF65A6H, RJH65T14DPQ-A0