Справочник IGBT. GPU200HF120D2SE

 

GPU200HF120D2SE Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GPU200HF120D2SE
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 835 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2100 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1500 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для GPU200HF120D2SE

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GPU200HF120D2SE Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1718K  cn daxin
 gpu200hf120d2se.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2SE

GPU200HF120D2SE1200V/200A 2 in one-package Preliminary DataFeatures 1200V/200A,VCE =2.30V(sat)(typ) SPTSoft Punch Throughtechnology Lower losses Higher system efficiency Excellent short-circuit capability Square RBSOAGeneral ApplicationsDaxins IGBTs offer ultrafast switching speedfor application such as welding, inductiveheating, UPS and other high frequ

 1.1. Size:454K  cn hmsemi
 gpu200hf120d2.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2SE

GPU200HF120D2IGBT Module 1200V/200A 2 in one-package Features 1200V200A,V =3.2V@200A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 62mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications. Absolut

Другие IGBT... SSG55N60M , SSG55N60Z , SSG55N60N , SSG55N60P , YGW40N65F1 , AOD5B65M1 , AOTF15B65M1 , CRG15T120BNR3S , GT30F126 , RCF1565SL1 , RCP1565SL1 , RCB1565SL1 , RCD1565SL1 , KGF65A6H , MGF65A6H , RJH65T14DPQ-A0 , GT30J122A .

 

 
Back to Top

 


 
.