GPU200HF120D2SE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: GPU200HF120D2SE  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 835 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2100 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GPU200HF120D2SE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GPU200HF120D2SE даташит

 0.1. Size:1718K  cn daxin
 gpu200hf120d2se.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2SE

GPU200HF120D2SE 1200V/200A 2 in one-package Preliminary Data Features 1200V/200A,VCE =2.30V (sat)(typ) SPT Soft Punch Through technology Lower losses Higher system efficiency Excellent short-circuit capability Square RBSOA General Applications Daxin s IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive heating, UPS and other high frequ

 1.1. Size:454K  cn hmsemi
 gpu200hf120d2.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2SE

GPU200HF120D2 IGBT Module 1200V/200A 2 in one-package Features 1200V200A,V =3.2V@200A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 62mm half bridge module General Description Daxin s IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications. Absolut

Другие IGBT... SSG55N60M, SSG55N60Z, SSG55N60N, SSG55N60P, YGW40N65F1, AOD5B65M1, AOTF15B65M1, CRG15T120BNR3S, SGT40N60NPFDPN, RCF1565SL1, RCP1565SL1, RCB1565SL1, RCD1565SL1, KGF65A6H, MGF65A6H, RJH65T14DPQ-A0, GT30J122A