Справочник IGBT. GPU200HF120D2SE

 

GPU200HF120D2SE Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GPU200HF120D2SE
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 835 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2100 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

GPU200HF120D2SE Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1718K  cn daxin
 gpu200hf120d2se.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2SE

GPU200HF120D2SE1200V/200A 2 in one-package Preliminary DataFeatures 1200V/200A,VCE =2.30V(sat)(typ) SPTSoft Punch Throughtechnology Lower losses Higher system efficiency Excellent short-circuit capability Square RBSOAGeneral ApplicationsDaxins IGBTs offer ultrafast switching speedfor application such as welding, inductiveheating, UPS and other high frequ

 1.1. Size:454K  cn hmsemi
 gpu200hf120d2.pdf pdf_icon

GPU200HF120D2SE

GPU200HF120D2IGBT Module 1200V/200A 2 in one-package Features 1200V200A,V =3.2V@200A CE(sat)(typ.) Ultrafast switching speed Excellent short circuit ruggednesss 62mm half bridge module General Description Daxins IGBTs offer ultrafast switching speed for application such as welding, inductive- heating, UPS and other high frequency applications. Absolut

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IRG4PC50S | STGWT60V60DF | GPU75HF120D1 | FGA60N60UFD | SGM50PA12A6BTFD | IKP15N60T | SIGC04T60GE

 

 
Back to Top

 


 
.