Справочник IGBT. BG150B12UY3-I

 

BG150B12UY3-I Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BG150B12UY3-I
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 145 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для BG150B12UY3-I

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BG150B12UY3-I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:988K  cn byd
 bg150b12uy3-i.pdf pdf_icon

BG150B12UY3-I

BG150B12UY3-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. VCE=1200V IC=150A General Description Features BYD IGBT Power Module BG150B12UY3-I provides fast High speed IGBT in trench/field stop technology switching characteristic as well as high short circuit Including ultra fast & soft recovery anti-parallel FWD capability, which introduce the advanced IGBT chip/FWD

 6.1. Size:1130K  cn byd
 bg150b12ly2-i.pdf pdf_icon

BG150B12UY3-I

BG150B12LY2-I IGBT Power Module BYD Microelectronics Co., Ltd. VCE=1200V IC=150A General Description Features BYD IGBT Power Module BG150B12LY2-I provides low Half-bridge switching loss as well as high short circuit capability, which Low inductance introduce the advanced IGBT chip/FWD and improved Standard package connection, it is able to take on a perfect performa

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: KWRFF75R12SWM | IXGT45N120 | TGAN40N90FD | 2MBI300U2B-060 | LEGM200BA120L2H | BSM150GB120DN2 | SPT25N120F1A1T8TL

 

 
Back to Top

 


 
.