Справочник IGBT. BT15T60A9F

 

BT15T60A9F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BT15T60A9F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 60 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 59 nC
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для BT15T60A9F

 

 

BT15T60A9F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:600K  wuxi china
 bt15t60a8f bt15t60a9f.pdf

BT15T60A9F BT15T60A9F

R BT15T60A8F, BT15T60A9F VCES 600 V BT15T60A8F BT15T60A9F IC 15 A RoHS VCE(sat) 1.7 V TO-220AB

 9.1. Size:557K  crhj
 bt15t120anf.pdf

BT15T60A9F BT15T60A9F

Silicon FS Planar IGBT R BT15T120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coe

 9.2. Size:261K  wuxi china
 bt15t120cnr.pdf

BT15T60A9F BT15T60A9F

Silicon FS Trench IGBT RBT15T120 CNR General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design, advanced FS(field stop) IC 15 A technology and integrated with Free Wheeling Diode, the 1200V Trench FS Ptot (TC=25) 156 W IGBT offers superior conduction and switching performances, high VCE(SAT) 1.95 V avalanche ruggedness.Features Trench FS T

 9.3. Size:557K  wuxi china
 bt15t120anf.pdf

BT15T60A9F BT15T60A9F

Silicon FS Planar IGBT R BT15T120ANF General Description VCES 1200 V Using HUAJING's proprietary trench design and advanced FS(field IC 15 A stop) technology, the 1200V Trench FS-IGBT offers superior conduction Ptot TC=25 186 W and switching performances, high avalanche ruggedness. VCE(SAT) 1.95 V Features Trench FS Technology, Positive temperature coe

Другие IGBT... RGPR20NS43 , RGS80TSX2DHR , RGT50NL65D , RGT50NS65D , RGT80TS65DGC13 , RGTH60TS65DGC13 , BT15T120CNR , BT15T60A8F , TGAN20N135FD , BT25T120CKR , BT40T120CKF , BT50T60ANFK , BT60T60ANFK , DGTD120T25S1PT , DGTD120T40S1PT , DGTD65T15H2TF , DGTD65T40S2PT .

 

 
Back to Top