DGTD120T25S1PT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DGTD120T25S1PT
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 348 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 41 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 142 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для DGTD120T25S1PT
DGTD120T25S1PT Datasheet (PDF)
dgtd120t25s1pt.pdf
DGTD120T25S1PT 1200V FIELD STOP IGBT IN TO-247 Description Features The DGTD120T25S1PT is produced using advanced Field Stop High Speed Switching & Low VCE(sat) Loss Trench IGBT Technology, which provides low VCE(sat) , excellent VCE(sat) = 2.0V @ IC = 25A quality and high-switching performance. High Input Impedance trr = 100ns (typ) @ diF/dt = 500A/s Ultra
dgtd120t40s1pt.pdf
DGTD120T40S1PT 1200V FIELD STOP IGBT IN TO-247 Description Features The DGTD120T40S1PT is produced using advanced Field Stop High-Speed Switching & Low Power Loss Trench IGBT Technology, which provides low VCE(sat) , excellent VCE(sat) = 2.0V @ IC = 40A quality and high switching performance. High Input Impedance trr = 100ns (typ) @ diF/dt = 200A/us Ultra Sof
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2