Справочник IGBT. KGF75N65KDF

 

KGF75N65KDF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KGF75N65KDF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 484 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.77 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 115 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для KGF75N65KDF

 

 

KGF75N65KDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  kec
 kgf75n65kdf.pdf

KGF75N65KDF KGF75N65KDF

SEMICONDUCTORKGF75N65KDFTECHNICAL DATAGeneral DescriptionBKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy AOS Kefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as Power Factor Correction(PFC),Inverterized MWO, Welder, Uninterrupted Power Supplies(UPS) and GeneralDIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30Converters._B5.00 + 0

 7.1. Size:1559K  kec
 kgf75n60kdb.pdf

KGF75N65KDF KGF75N65KDF

SEMICONDUCTORKGF75N60KDBTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand T

Другие IGBT... BT60T60ANFK , DGTD120T25S1PT , DGTD120T40S1PT , DGTD65T15H2TF , DGTD65T40S2PT , DGTD65T50S1PT , DGTD65T60S2PT , KGF40N65KDC , STGB10NB37LZ , LEGM200BA120L2H , LEGM200BH120L2K , LEGM25BE120E2H , LEGM300BH120L2K , LEGM75BE120L5H , LEGM75BF120L5H , LEGM75TD120E2H , KWBW60N65F4EG .

 

 
Back to Top