Справочник IGBT. KGF75N65KDF

 

KGF75N65KDF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: KGF75N65KDF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 484 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.77 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 115 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 128 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

KGF75N65KDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  kec
 kgf75n65kdf.pdf pdf_icon

KGF75N65KDF

SEMICONDUCTORKGF75N65KDFTECHNICAL DATAGeneral DescriptionBKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy AOS Kefficiency and short circuit ruggedness.It is designed for applications such as Power Factor Correction(PFC),Inverterized MWO, Welder, Uninterrupted Power Supplies(UPS) and GeneralDIM MILLIMETERS_+A 15.90 0.30Converters._B5.00 + 0

 7.1. Size:1559K  kec
 kgf75n60kdb.pdf pdf_icon

KGF75N65KDF

SEMICONDUCTORKGF75N60KDBTECHNICAL DATAGeneral DescriptionKEC Field Stop Trench IGBTs offer low switching losses, high energy efficiencyand short circuit ruggedness.It is designed for applications such as motor control, uninterrupted powersupplies(UPS), general inverters.FEATURES High speed switchingHigh ruggedness, temperature stable behaviorShort Circuit Withstand T

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.