Справочник IGBT. SPT10N120T1

 

SPT10N120T1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT10N120T1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SPT10N120T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1546K  cn sptech
 spt10n120t1.pdf pdf_icon

SPT10N120T1

SPT10N120T11200V /10A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 10 A Cimproved reliabilityV I =10A 1.60 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature stable

 0.1. Size:5219K  cn sps
 spt10n120t1t8tl.pdf pdf_icon

SPT10N120T1

SPT10N120T1T8TL1200V /10A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V forI 10 A Cimproved reliabilityV I =10A 1.60 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stablebehavior Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature stable

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: APT20GF120BRDQ1G | GPU75HF120D1 | SIGC04T60GS | IXYY8N90C3 | RJH3044 | IKP15N60T | STGW25H120F2

 

 
Back to Top

 


 
.