SPT10N120T1 - аналоги и описание IGBT

 

SPT10N120T1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SPT10N120T1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT10N120T1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SPT10N120T1 даташит

 ..1. Size:1546K  cn sptech
 spt10n120t1.pdf pdf_icon

SPT10N120T1

SPT10N120T1 1200V /10A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 10 A C improved reliability V I =10A 1.60 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10 s High ruggedness, temperature stable

 0.1. Size:5219K  cn sps
 spt10n120t1t8tl.pdf pdf_icon

SPT10N120T1

SPT10N120T1T8TL 1200V /10A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 10 A C improved reliability V I =10A 1.60 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering very tight parameter distribution high ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10 s High ruggedness, temperature stable

Другие IGBT... CRG40T65AN5HD , CRG60T60AK3HD , CRG75T60AK3HD , CRG75T65AK5HD , CRGMF100T120FSA3 , CRGMF50T120FSC , CRGMF75T120FSC , SPD15N65T1 , MBQ50T65FDSC , SPT15N120F1 , SPT15N120T1 , SPT15N65T1 , SPT20N120F1 , SPT25N120F1A1 , SPT25N120T1 , SPT25N120U1 , SPT25N135F1A .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.