Справочник IGBT. SPT60N65F1A1T8TL

 

SPT60N65F1A1T8TL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT60N65F1A1T8TL
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 79 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SPT60N65F1A1T8TL Datasheet (PDF)

 0.1. Size:5471K  cn sps
 spt60n65f1a1t8tl.pdf pdf_icon

SPT60N65F1A1T8TL

SPT60N65F1A1T8TL650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering

 2.1. Size:1785K  cn sptech
 spt60n65f1a1.pdf pdf_icon

SPT60N65F1A1T8TL

SPT60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101

 

 
Back to Top

 


 
.