Справочник IGBT. SPT60N65F1A1T8TL

 

SPT60N65F1A1T8TL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SPT60N65F1A1T8TL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 260
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 79
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 130
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 158
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPT60N65F1A1T8TL

 

 

SPT60N65F1A1T8TL Datasheet (PDF)

 0.1. Size:5471K  cn sps
 spt60n65f1a1t8tl.pdf

SPT60N65F1A1T8TL SPT60N65F1A1T8TL

SPT60N65F1A1T8TL650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering

 2.1. Size:1785K  cn sptech
 spt60n65f1a1.pdf

SPT60N65F1A1T8TL SPT60N65F1A1T8TL

SPT60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top