SPT60N65F1A1T8TL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: SPT60N65F1A1T8TL
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 79 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 130 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 158 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SPT60N65F1A1T8TL
SPT60N65F1A1T8TL Datasheet (PDF)
spt60n65f1a1t8tl.pdf
SPT60N65F1A1T8TL650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering
spt60n65f1a1.pdf
SPT60N65F1A1 650V /60A Trench Field Stop IGBT 650V Trench Field Stop IGBTs offer low V 650 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 60 A Chigh avalanche ruggedness for motion control, solar application and welding machine. V I =60A 1.85 V CE(SAT) CFEATURES High breakdown voltage up to 650V forimproved reliability Trench-Stop Technology offering :
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2