IXGH40N30BS - аналоги и описание IGBT

 

IXGH40N30BS - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGH40N30BS

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 210 pF

Тип корпуса: TO247SMD

 Аналог (замена) для IXGH40N30BS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGH40N30BS даташит

 ..1. Size:92K  ixys
ixgh40n30 ixgh40n30a ixgh40n30b ixgh40n30s ixgh40n30as ixgh40n30bs.pdfpdf_icon

IXGH40N30BS

VCES IC25 VCE(sat) tfi HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N30/S 300 V 60 A 1.8 V 220ns IXGH 40N30A/S 300 V 60 A 2.1 V 120ns IXGH 40N30B/S 300 V 60 A 2.4 V 75 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 SMD* VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 V C (TAB) G VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-247 AD IC25 TC = 25 C 60 A IC90 TC = 90 C

 4.1. Size:80K  ixys
ixgh40n30bd1.pdfpdf_icon

IXGH40N30BS

IXGH40N30BD1 VCES = 300 V HiPerFASTTM IGBT IC25 = 60 A VCE(sat) = 2.4 V tfi = 75 ns TO-247 AD Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 V VGES Continuous 20 V G C (TAB) VGEM Transient 30 V C E IC25 TC = 25 C60 A G = Gate, C = Collector, IC90 TC = 90 C40 A E = Emitter, TAB = Collector ICM TC = 25 C, 1 ms 160

 5.1. Size:92K  ixys
ixgh40n30.pdfpdf_icon

IXGH40N30BS

VCES IC25 VCE(sat) tfi HiPerFASTTM IGBT IXGH 40N30/S 300 V 60 A 1.8 V 220ns IXGH 40N30A/S 300 V 60 A 2.1 V 120ns IXGH 40N30B/S 300 V 60 A 2.4 V 75 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 SMD* VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 300 V C (TAB) G VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-247 AD IC25 TC = 25 C 60 A IC90 TC = 90 C

 7.1. Size:145K  ixys
ixgh40n60c2.pdfpdf_icon

IXGH40N30BS

VCES = 600 V IXGH 40N60C2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 75 A IXGT 40N60C2 C2-Class High Speed IGBTs VCE(sat) = 2.7 V tfi typ = 32 ns TO-268 (IXGT) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V E C (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-247 (IXGH) IC25 TC = 25 C (limited by leads) 75 A IC110 TC = 1

Другие IGBT... IXGA15N120C , IXGA20N100 , IXGA20N60B , IXGA7N60B , IXGA7N60C , IXGA8N100 , IXGH32N60AU1S , IXGH40N30AS , TGAN40N60FD , IXGH50N60AS , IXGT32N60B , IXSM25N100 , IXSM25N100A , IXGH10N100U1 , IXGH10N100 , IXGH10N100A , IXGH10N100AU1 .

History: MKI75-12E8

 

 

 


 
↑ Back to Top
.