Справочник IGBT. YGW15N120F1A

 

YGW15N120F1A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGW15N120F1A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 52 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 84 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для YGW15N120F1A

 

 

YGW15N120F1A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  cn luxin semi
 ygw15n120f1a.pdf

YGW15N120F1A YGW15N120F1A

YGW15N120F1A 1200V /15A Trench Field Stop IGBT Lu-semi Field Stop Trench IGBTs offer low V 1200 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 15 A Chigh avalanche ruggedness for soft switching applications such as inductive heating, V I =15A 1.9 V CE(SAT) Cmicrowave oven, etc. FEATURES Trench-Stop Technology offering : High speed switching High r

 5.1. Size:408K  cn luxin semi
 ygw15n120t3.pdf

YGW15N120F1A YGW15N120F1A

YGW15N120T3 1200V /15A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 15 A Cimproved reliability V I =15A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : Very tight parameter distribution Short circuit withstand time 10s High ruggedness, temperature stable Low V CE(SAT) Easy parallel switching

Другие IGBT... YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 , YGW20N65T2 , YGQ100N65FP , YGW10N120T3 , IRG7R313U , YGW15N120T3 , YGW25N120F1A1 , YGW25N120T1 , YGW25N120U2 , YGW25N135F1A , YGW40N120F2 , YGW40N120T2 , YGW40N120T3 .

 

 
Back to Top