YGW15N120F1A - аналоги и описание IGBT

 

YGW15N120F1A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: YGW15N120F1A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 52 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для YGW15N120F1A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

YGW15N120F1A даташит

 ..1. Size:481K  cn luxin semi
 ygw15n120f1a.pdf pdf_icon

YGW15N120F1A

YGW15N120F1A 1200V /15A Trench Field Stop IGBT Lu-semi Field Stop Trench IGBTs offer low V 1200 V CE switching losses, high energy efficiency and I 15 A C high avalanche ruggedness for soft switching applications such as inductive heating, V I =15A 1.9 V CE(SAT) C microwave oven, etc. FEATURES Trench-Stop Technology offering High speed switching High r

 5.1. Size:408K  cn luxin semi
 ygw15n120t3.pdf pdf_icon

YGW15N120F1A

YGW15N120T3 1200V /15A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 15 A C improved reliability V I =15A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering Very tight parameter distribution Short circuit withstand time 10 s High ruggedness, temperature stable Low V CE(SAT) Easy parallel switching

Другие IGBT... YGK15N65T2 , YGP15N65T2 , YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 , YGW20N65T2 , YGQ100N65FP , YGW10N120T3 , GT30G124 , YGW15N120T3 , YGW25N120F1A1 , YGW25N120T1 , YGW25N120U2 , YGW25N135F1A , YGW40N120F2 , YGW40N120T2 , YGW40N120T3 .

History: YGW40N65F1A1 | SRE60N065FSU | TA49052

 

 

 

 

↑ Back to Top
.