Справочник IGBT. YGW25N120F1A1

 

YGW25N120F1A1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGW25N120F1A1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 260
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 50
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 32
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 70
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 135
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для YGW25N120F1A1

 

 

YGW25N120F1A1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  cn luxin semi
 ygw25n120f1a1.pdf

YGW25N120F1A1 YGW25N120F1A1

YGW25N120F1A1 1200V /25A Trench Field Stop IGBT High breakdown voltage to 1200V for V 1200 V CEimproved reliability I 25 A C Trench-Stop Technology offering : High speed switching V I =25A 2.0 V CE(SAT) C High ruggedness, temperature stable Low V CEsat Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in V CEsat

 5.1. Size:428K  cn luxin semi
 ygw25n120u2.pdf

YGW25N120F1A1 YGW25N120F1A1

YGW25N120U2 1200V /25A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 25 A Cimproved reliability V I =25A 1.85 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 10s Low V CEsat Easy parallel switching capability du

 5.2. Size:563K  cn luxin semi
 ygw25n120t1.pdf

YGW25N120F1A1 YGW25N120F1A1

YGW25N120T1 1200V /25A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 1200 V CE High breakdown voltage to 1200V for I 25 A Cimproved reliability V I =25A 1.65 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable behavior Short circuit withstand time 10s Low V CE(SAT) Easy parall

 7.1. Size:602K  cn luxin semi
 ygw25n135f1a.pdf

YGW25N120F1A1 YGW25N120F1A1

YGW25N135F1A 1350V /25A Trench Field Stop IGBT Lu-semi Field Stop Trench IGBTs offer low V 1350 V CEswitching losses, high energy efficiency and I 25 A Chigh avalanche ruggedness for soft switching applications such as inductive heating, V I =25A 2.0 V CE(SAT) Cmicrowave oven, etc. FEATURES High breakdown voltage to 1350V for improved reliability Trench-S

Другие IGBT... YGF20N65T2 , YGK20N65T2 , YGP20N65T2 , YGW20N65T2 , YGQ100N65FP , YGW10N120T3 , YGW15N120F1A , YGW15N120T3 , SGH80N60UFD , YGW25N120T1 , YGW25N120U2 , YGW25N135F1A , YGW40N120F2 , YGW40N120T2 , YGW40N120T3 , YGW40N65F1A1 , YGW40N65F1A2 .

 

 
Back to Top