Справочник IGBT. YGW75N65T1

 

YGW75N65T1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: YGW75N65T1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 200 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 260 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для YGW75N65T1

 

 

YGW75N65T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  cn luxin semi
 ygw75n65t1.pdf

YGW75N65T1 YGW75N65T1

YGW75N65T1 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due

 6.1. Size:422K  cn luxin semi
 ygw75n65f1.pdf

YGW75N65T1 YGW75N65T1

YGW75N65F1 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.7 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due

 6.2. Size:411K  cn luxin semi
 ygw75n65fp.pdf

YGW75N65T1 YGW75N65T1

YGW75N65FP 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.8 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching capability due

 6.3. Size:253K  cn luxin semi
 ygw75n65hp.pdf

YGW75N65T1 YGW75N65T1

Preliminary YGW75N65HP 650V /75A Trench Field Stop IGBT FEATURES V 650 V CE High breakdown voltage up to 650V for I 75 A Cimproved reliability V I =75A 1.65 V CE(SAT) C Trench-Stop Technology offering : High speed switching High ruggedness, temperature stable Short circuit withstand time 5s Low V CEsat Easy parallel switching c

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top