Справочник IGBT. STGF30M65DF2

 

STGF30M65DF2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGF30M65DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G30M65DF2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 13.4 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 143 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 80 nC
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGF30M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:708K  st
 stgf30m65df2.pdf pdf_icon

STGF30M65DF2

STGF30M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 30 A low-loss in a TO-220FP package Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 30 A CE(sat) C Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance Soft and very fast recovery antiparallel diode Applications Motor

 8.1. Size:657K  st
 stgf30nc60s stgp30nc60s stgwf30nc60s.pdf pdf_icon

STGF30M65DF2

STGF30NC60SSTGP30NC60S, STGWF30NC60S30 A, 600 V, fast IGBTFeaturesTAB Optimized performance for medium operating frequencies up to 5 kHz in hard switching Low on-voltage drop (VCE(sat))332 High current capability 211TO-220 TO-220FPApplication1113Motor drive21TO-3PFDescriptionThis device utilizes the advanced PowerMESHTM process result

 8.2. Size:1944K  st
 stgb30h60df stgf30h60df stgp30h60df stgw30h60df.pdf pdf_icon

STGF30M65DF2

STGB30H60DF, STGF30H60DF,STGP30H60DF, STGW30H60DF600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution313 Safe paralleling21DPAK Low thermal resistanceTO-220FP Short circuit ratedTAB Ultrafast soft recovery antiparallel diodeApplications3 3 I

 8.3. Size:1945K  st
 stgf30h60df.pdf pdf_icon

STGF30M65DF2

STGB30H60DF, STGF30H60DF,STGP30H60DF, STGW30H60DF600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBTDatasheet - production dataFeaturesTAB High speed switching Tight parameters distribution313 Safe paralleling21DPAK Low thermal resistanceTO-220FP Short circuit ratedTAB Ultrafast soft recovery antiparallel diodeApplications3 3 I

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: BSM200GAL120DLC

 

 
Back to Top

 


 
.