Справочник IGBT. STGW100H65FB2-4

 

STGW100H65FB2-4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGW100H65FB2-4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G100H65FB2
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 441
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 145
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 28
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 318
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 288
   Тип корпуса: TO247-4

 Аналог (замена) для STGW100H65FB2-4

 

 

STGW100H65FB2-4 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:249K  st
 stgw100h65fb2-4.pdf

STGW100H65FB2-4 STGW100H65FB2-4

STGW100H65FB2-4DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 packageFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 100 A Minimized tail current Tight parameter distribution43 Low thermal resistance21 Positive VCE(sat) temperature coefficientTO247-4 Excellent swi

 7.1. Size:693K  st
 stgf100n30 stgp100n30 stgw100n30.pdf

STGW100H65FB2-4 STGW100H65FB2-4

STGF100N30STGP100N30, STGW100N3090 A - 330 V - fast IGBTFeatures Optimized for sustain and energy recovery circuits in PDP applications. State-of-the-art STripFET technology 3 32 21 Peak collector current IRP = 330 A @ 1TC = 25 C (see Table 2)TO-220FPTO-247 Very low-on voltage drop (VCE(sat)) and energy per pulse for improved panel efficiency

 8.1. Size:936K  st
 stgw10m65df2.pdf

STGW100H65FB2-4 STGW100H65FB2-4

STGW10M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-247 package Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.55 V (typ.) @ I = 10 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Positive V temperature coefficient CE(sat) Low thermal resistance Soft and very fast recovery

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top