Справочник IGBT. STGWA60V60DF

 

STGWA60V60DF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWA60V60DF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G60V60DF
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 375
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.85
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 20
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 280
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 334
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGWA60V60DF

 

 

STGWA60V60DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1625K  st
 stgw60v60df stgwa60v60df stgwt60v60df.pdf

STGWA60V60DF STGWA60V60DF

STGW60V60DF, STGWA60V60DF STGWT60V60DFTrench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 60 A very high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Tail-less switching off VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 60 A332211 Tight parameter distributionTO-247TO-247 long leads Safe parallelingTAB Low thermal resistan

 7.1. Size:685K  st
 stgw60h65dfb stgwa60h65dfb stgwt60h65dfb.pdf

STGWA60V60DF STGWA60V60DF

STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB, STGWT60H65DFBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C3 3 High speed switching series2 21 1 Minimized tail currentTO-247TO-247 long leads Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 ATAB Tight parameter distribution Safe paral

 7.2. Size:779K  st
 stgwa60nc60wdr.pdf

STGWA60V60DF STGWA60V60DF

STGWA60NC60WDR60 A, 600 V, ultrafast IGBTFeatures Very high frequency operation Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility) Very soft ultrafast recovery antiparallel diode32Applications1 WeldingTO-247 long leads Power factor correction SMPS High frequency inverter/converterFigure 1. Internal schematic diagramDescriptionThis

 7.3. Size:1574K  st
 stgwa60h65dfb.pdf

STGWA60V60DF STGWA60V60DF

STGW60H65DFB, STGWA60H65DFB STGWT60H65DFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speedDatasheet - production dataFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current3322 VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A11TO-3PTO-247 Tight parameters distribution Safe paralleling

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top