Справочник IGBT. STGW75M65DF2

 

STGW75M65DF2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGW75M65DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G75M65DF2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22.4 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 390 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 225 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGW75M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1019K  st
 stgw75m65df2 stgwa75m65df2.pdf pdf_icon

STGW75M65DF2

STGW75M65DF2, STGWA75M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 75 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.65 V (typ.) @ I = 75 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Positive V temperature coefficient CE(sat) Low thermal resi

 8.1. Size:326K  st
 stgw75h65dfb2-4.pdf pdf_icon

STGW75M65DF2

STGW75H65DFB2-4DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 packageFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current43 Tight parameter distribution21 Low thermal resistanceTO247-4 Positive VCE

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: FD1000R17IE4 | IKD15N60RA

 

 
Back to Top

 


 
.