Справочник IGBT. STGWA75M65DF2

 

STGWA75M65DF2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWA75M65DF2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G75M65DF2
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 22.4 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 390 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 225 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

STGWA75M65DF2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1019K  st
stgw75m65df2 stgwa75m65df2.pdfpdf_icon

STGWA75M65DF2

STGW75M65DF2, STGWA75M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 75 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.65 V (typ.) @ I = 75 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Positive V temperature coefficient CE(sat) Low thermal resi

 7.1. Size:555K  st
stgwa75h65dfb2.pdfpdf_icon

STGWA75M65DF2

STGWA75H65DFB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) temp

 9.1. Size:526K  st
stgwa40h65dfb.pdfpdf_icon

STGWA75M65DF2

STGWA40H65DFBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resist

 9.2. Size:537K  st
stgwa50hp65fb2.pdfpdf_icon

STGWA75M65DF2

STGWA50HP65FB2DatasheetTrench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads packageFeatures Maximum junction temperature : TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A Co-packaged protection diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) temperature coefficien

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IGP10N60T

 

 
Back to Top

 


 
.