STGWA75M65DF2 - аналоги и описание IGBT

 

STGWA75M65DF2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: STGWA75M65DF2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 468 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 22.4 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 390 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STGWA75M65DF2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

STGWA75M65DF2 даташит

 ..1. Size:1019K  st
stgw75m65df2 stgwa75m65df2.pdfpdf_icon

STGWA75M65DF2

STGW75M65DF2, STGWA75M65DF2 Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 75 A low-loss in TO-247 and TO-247 long leads packages Datasheet - production data Features 6 s of short-circuit withstand time V = 1.65 V (typ.) @ I = 75 A CE(sat) C Tight parameter distribution Safer paralleling Positive V temperature coefficient CE(sat) Low thermal resi

 7.1. Size:555K  st
stgwa75h65dfb2.pdfpdf_icon

STGWA75M65DF2

STGWA75H65DFB2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO 247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 75 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) temp

 9.1. Size:526K  st
stgwa40h65dfb.pdfpdf_icon

STGWA75M65DF2

STGWA40H65DFB Datasheet Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current Low saturation voltage VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficient Low thermal resist

 9.2. Size:537K  st
stgwa50hp65fb2.pdfpdf_icon

STGWA75M65DF2

STGWA50HP65FB2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V(typ.) @ IC = 50 A Co-packaged protection diode Minimized tail current Tight parameter distribution Low thermal resistance Positive VCE(sat) temperature coefficien

Другие IGBT... STGW100H65FB2-4 , STGW10M65DF2 , STGWA30H60DFB , STGW30M65DF2 , STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 , STGW75M65DF2 , GT30G124 , STGWA100H65DFB2 , STGWA20H65DFB2 , STGWA20HP65FB2 , STGWA20IH65DF , STGWA20M65DF2 , STGWA30IH65DF , STGWA40H65DFB , STGWA40H65DFB2 .

History: YGW40N65F1A1 | TA49052 | SRE60N065FSU

 

 

 

 

↑ Back to Top
.