STGWA100H65DFB2 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: STGWA100H65DFB2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 441 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 145 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 318 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для STGWA100H65DFB2
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
STGWA100H65DFB2 даташит
stgwa100h65dfb2.pdf
STGWA100H65DFB2 Datasheet Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO 247 long leads package Features Maximum junction temperature TJ = 175 C Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 100 A Very fast and soft recovery co-packaged diode Minimized tail current Tight parameter distribution TO-247 long leads Low thermal resistance
stgwa19nc60hd.pdf
STGWA19NC60HD 31 A, 600 V, very fast IGBT with Ultrafast diode Features Low on-voltage drop (VCE(sat)) Very soft Ultrafast recovery anti-parallel diode Applications 3 2 High frequency motor drives 1 SMPS and PFC in both hard switch and TO-247 resonant topologies Description This device is an ultrafast IGBT. It utilizes the advanced Power MESH process resultin
stgwa15h120df2.pdf
STGW15H120DF2, STGWA15H120DF2 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed Datasheet - production data Features Maximum junction temperature TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 15 A 5 s minimum short circuit withstand time at 3 3 TJ=150 C 2 2 1 1 Safe paralleling TO-247 T
stgwa15m120df3.pdf
STGW15M120DF3 STGWA15M120DF3 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss Datasheet - production data Features 10 s of short-circuit withstand time VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A Tight parameters distribution Safer paralleling Low thermal resistance 3 Soft and fast recovery antiparallel diode 2 1 Applications TO-247 Industria
Другие IGBT... STGW10M65DF2 , STGWA30H60DFB , STGW30M65DF2 , STGWA30M65DF2 , STGWA60V60DF , STGW75H65DFB2-4 , STGW75M65DF2 , STGWA75M65DF2 , SGT40N60FD2PN , STGWA20H65DFB2 , STGWA20HP65FB2 , STGWA20IH65DF , STGWA20M65DF2 , STGWA30IH65DF , STGWA40H65DFB , STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 .
History: STGW75H65DFB2-4 | SHD724602
History: STGW75H65DFB2-4 | SHD724602
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568









