Справочник IGBT. STGWT30HP65FB

 

STGWT30HP65FB - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: STGWT30HP65FB
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GWT30HP65FB
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 260
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 101
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 149
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для STGWT30HP65FB

 

 

STGWT30HP65FB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:537K  st
 stgwt30hp65fb.pdf

STGWT30HP65FB STGWT30HP65FB

STGWT30HP65FBDatasheetTrench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBTFeaturesTAB Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current32 Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A1TO-3P Tight parameter distribution Safe paralleling Positive VCE(sat) temperature coefficientC

 6.1. Size:1635K  st
 stgwt30h65fb.pdf

STGWT30HP65FB STGWT30HP65FB

STGFW30H65FB, STGW30H65FB, STGWT30H65FBTrench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speedDatasheet - production dataTABFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series3 Minimized tail current21 VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 ATO-3PF Tight parameters distribution111 Safe paralleling3 Low t

 6.2. Size:698K  st
 stgw30h60dfb stgwa30h60dfb stgwt30h60dfb.pdf

STGWT30HP65FB STGWT30HP65FB

STGW30H60DFB, STGWA30H60DFB, STGWT30H60DFBDatasheetTrench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBTFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C3 3 High speed switching series2 21 1 Minimized tail currentTO-247TO-247 long leads Low saturation voltage: VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 ATAB Tight parameter distribution Safe para

 6.3. Size:419K  st
 stgwt30h60dfb.pdf

STGWT30HP65FB STGWT30HP65FB

STGW30H60DFB, STGWT30H60DFBTrench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speedDatasheet - production dataFeatures Maximum junction temperature: TJ = 175 C High speed switching series Minimized tail current VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A3322 Tight parameters distribution11TO-247 Safe parallelingTO-3P Low thermal resist

Другие IGBT... STGWA20M65DF2 , STGWA30IH65DF , STGWA40H65DFB , STGWA40H65DFB2 , STGWA40HP65FB2 , STGWA50HP65FB2 , STGWA50M65DF2 , STGWA75H65DFB2 , GT45F122 , STGYA120M65DF2AG , STGYA75H120DF2 , AFGB30T65SQDN , AFGB40T65SQDN , AFGHL40T65SPD , AFGHL40T65SQ , AFGHL40T65SQD , AFGHL50T65SQ .

 

 
Back to Top