Справочник IGBT. FGA180N33AT

 

FGA180N33AT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGA180N33AT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 390
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 330
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 180
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.1
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 80
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 305
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 169
   Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для FGA180N33AT

 

 

FGA180N33AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  onsemi
 fga180n33at.pdf

FGA180N33AT FGA180N33AT

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 0.1. Size:757K  fairchild semi
 fga180n33atd.pdf

FGA180N33AT FGA180N33AT

April 2008FGA180N33ATDtm330V, 180A PDP Trench IGBTFeatures General Description High Current Capability Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchilds new series of trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica- Low saturation voltage: VCE(sat) =1.03V @ IC = 40Ations where low conduction and switching losses are essential. High input impedance RoHS

Другие IGBT... AFGHL75T65SQ , AFGHL75T65SQDC , AFGHL75T65SQDT , AFGY100T65SPD , AFGY120T65SPD , AFGY120T65SPD-B4 , AFGY160T65SPD-B4 , FGA15N120ANTDTU , CRG75T60AK3HD , FGA25N120ANTDTU , FGA3060ADF , FGA30S120P , FGA30T65SHD , FGA40S65SH , FGA40T65SHD , FGA40T65SHDF , FGA40T65UQDF .

 

 
Back to Top