Справочник IGBT. FGD5T120SH

 

FGD5T120SH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGD5T120SH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 20.8 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 11 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6.7 nC
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FGD5T120SH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:606K  onsemi
 fgd5t120sh.pdf pdf_icon

FGD5T120SH

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: MMG200S060B6N | IXGX28N140B3H1 | IXBX25N250 | IXGP14N120B | FGH15T120SMD | APT75GN120J

 

 
Back to Top

 


 
.