FGH40T65SH - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты

FGH40T65SH - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: FGH40T65SH
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 268
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 34.4
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 70
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 72.2
   Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для FGH40T65SH

FGH40T65SH Datasheet (PDF)

..1. Size:475K onsemi
fgh40t65sh.pdf

IGBT - Field Stop, Trench650 V, 40 AFGH40T65SHDescriptionUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors newseries of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimumwww.onsemi.comperformance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFCapplica-tions where low conduction and switching losses areCessential.Features Maximum Junction Temperature: TJ

0.1. Size:915K 1
fgh40t65shdf.pdf

May 2014FGH40T65SHDF650 V, 40 A Field Stop Trench IGBTFeatures General Description Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC Using novel field stop IGBT technology, Fairchilds new series offield stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction and Positive Temperaure Co-efficient for Easy Parallel Operatingswitching performance and easy parallel operation. This device

0.2. Size:1508K onsemi
fgh40t65shd-f155.pdf