FGY100T65SCDT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FGY100T65SCDT
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.9 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 147 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 384 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 157 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для FGY100T65SCDT
FGY100T65SCDT Datasheet (PDF)
fgy100t65scdt.pdf
FGY100T65SCDTField Stop Trench IGBT, Short Circuit Rated, 650V, 100AGeneral Descriptionwww.onsemi.comUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum Cperformance for solar, UPS, motor control, ESS and HVAC applications where low conduction and switching losses are essential.FeaturesG Maximu
afgy100t65spd.pdf
Field Stop Trench IGBT withSoft Fast Recovery Diode100 A, 650 VAFGY100T65SPDAFGY100T65SPD which is AEC Q101 qualified offers very lowconduction and switch losses for a high efficiency operation in variouswww.onsemi.comapplications, rugged transient reliability and low EMI.Meanwhile, this part also offers an advantage of outstanding paralleloperation performance with balance cu
Другие IGBT... FGHL50T65SQDT , FGHL75T65LQDT , FGHL75T65MQD , FGHL75T65MQDT , FGP10N60UNDF , FGP15N60UNDF , FGPF15N60UNDF , FGPF4565 , MGD623S , FGY120T65SPD-F085 , FGY40T120SMD , FGY60T120SQDN , FGY75T120SQDN , FGY75T95LQDT , FGY75T95SQDT , FPF2C110BI07AS2 , FPF2C8P2NL07A .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2