Справочник IGBT. FGY100T65SCDT

 

FGY100T65SCDT - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGY100T65SCDT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 750
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 200
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 147
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 384
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для FGY100T65SCDT

 

 

FGY100T65SCDT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  onsemi
 fgy100t65scdt.pdf

FGY100T65SCDT FGY100T65SCDT

FGY100T65SCDTField Stop Trench IGBT, Short Circuit Rated, 650V, 100AGeneral Descriptionwww.onsemi.comUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum Cperformance for solar, UPS, motor control, ESS and HVAC applications where low conduction and switching losses are essential.FeaturesG Maximu

 4.1. Size:339K  onsemi
 afgy100t65spd.pdf

FGY100T65SCDT FGY100T65SCDT

Field Stop Trench IGBT withSoft Fast Recovery Diode100 A, 650 VAFGY100T65SPDAFGY100T65SPD which is AEC Q101 qualified offers very lowconduction and switch losses for a high efficiency operation in variouswww.onsemi.comapplications, rugged transient reliability and low EMI.Meanwhile, this part also offers an advantage of outstanding paralleloperation performance with balance cu

Другие IGBT... FGHL50T65SQDT , FGHL75T65LQDT , FGHL75T65MQD , FGHL75T65MQDT , FGP10N60UNDF , FGP15N60UNDF , FGPF15N60UNDF , FGPF4565 , SGP30N60 , FGY120T65SPD-F085 , FGY40T120SMD , FGY60T120SQDN , FGY75T120SQDN , FGY75T95LQDT , FGY75T95SQDT , FPF2C110BI07AS2 , FPF2C8P2NL07A .

 

 
Back to Top