Справочник IGBT. FGY100T65SCDT

 

FGY100T65SCDT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGY100T65SCDT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 147 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 384 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

FGY100T65SCDT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  onsemi
fgy100t65scdt.pdfpdf_icon

FGY100T65SCDT

FGY100T65SCDTField Stop Trench IGBT, Short Circuit Rated, 650V, 100AGeneral Descriptionwww.onsemi.comUsing novel field stop IGBT technology, ON Semiconductors new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum Cperformance for solar, UPS, motor control, ESS and HVAC applications where low conduction and switching losses are essential.FeaturesG Maximu

 4.1. Size:339K  onsemi
afgy100t65spd.pdfpdf_icon

FGY100T65SCDT

Field Stop Trench IGBT withSoft Fast Recovery Diode100 A, 650 VAFGY100T65SPDAFGY100T65SPD which is AEC Q101 qualified offers very lowconduction and switch losses for a high efficiency operation in variouswww.onsemi.comapplications, rugged transient reliability and low EMI.Meanwhile, this part also offers an advantage of outstanding paralleloperation performance with balance cu

Другие IGBT... FGHL50T65SQDT , FGHL75T65LQDT , FGHL75T65MQD , FGHL75T65MQDT , FGP10N60UNDF , FGP15N60UNDF , FGPF15N60UNDF , FGPF4565 , GT30F125 , FGY120T65SPD-F085 , FGY40T120SMD , FGY60T120SQDN , FGY75T120SQDN , FGY75T95LQDT , FGY75T95SQDT , FPF2C110BI07AS2 , FPF2C8P2NL07A .

History: MMG300Q060B6TC | APT20GF120KR | 7MBR25SA120-01 | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX

 

 
Back to Top

 


 
.