Справочник IGBT. FPF2C110BI07AS2

 

FPF2C110BI07AS2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FPF2C110BI07AS2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 158
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.1
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 22
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 60
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FPF2C110BI07AS2

 

 

FPF2C110BI07AS2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:955K  onsemi
 fpf2c110bi07as2.pdf

FPF2C110BI07AS2 FPF2C110BI07AS2

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 9.1. Size:1775K  onsemi
 fpf2c8p2nl07a.pdf

FPF2C110BI07AS2 FPF2C110BI07AS2

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top