Справочник IGBT. NGTB03N60R2DT4G

 

NGTB03N60R2DT4G Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGTB03N60R2DT4G
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 17 pF
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для NGTB03N60R2DT4G

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGTB03N60R2DT4G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:596K  onsemi
 ngtb03n60r2dt4g.pdf pdf_icon

NGTB03N60R2DT4G

NGTB03N60R2DT4G IGBT 600V, 4.5A, N-Channel www.onsemi.com Features Electrical Connection Reverse Conducting II IGBT N-Channel IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=3A, VGE=15V] 2,4 IGBT tf=75ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=3A] Diode trr=65ns (typ) 5s Short Circuit Capability 11:Gate2:CollectorApplications 3:Emitter3 General Pur

 9.1. Size:615K  onsemi
 ngtb05n60r2dt4g.pdf pdf_icon

NGTB03N60R2DT4G

NGTB05N60R2DT4G IGBT www.onsemi.com 600V, 8A, N-Channel Features Electrical Connection Reverse Conducting II IGBT N-Channel IGBT VCE(sat)=1.65V (typ) [IC=5A, VGE=15V] 2,4 IGBT tf=95ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=5A] Diode trr=70ns (typ) 5s Short Circuit Capability 11:Gate2:CollectorApplications 3:Emitter34:Collector Ge

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IKD06N60RF | 2MBI200NB-120 | IKFW40N60DH3E | IXGA20N100A3 | NGTB20N135IHR | IKB40N65EH5 | IGC142T120T8RL

 

 
Back to Top

 


 
.