NGTB03N60R2DT4G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: NGTB03N60R2DT4G  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 17 pF

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для NGTB03N60R2DT4G

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NGTB03N60R2DT4G даташит

 0.1. Size:596K  onsemi
 ngtb03n60r2dt4g.pdf pdf_icon

NGTB03N60R2DT4G

NGTB03N60R2DT4G IGBT 600V, 4.5A, N-Channel www.onsemi.com Features Electrical Connection Reverse Conducting II IGBT N-Channel IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=3A, VGE=15V] 2,4 IGBT tf=75ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=3A] Diode trr=65ns (typ) 5 s Short Circuit Capability 1 1 Gate 2 Collector Applications 3 Emitter 3 General Pur

 9.1. Size:615K  onsemi
 ngtb05n60r2dt4g.pdf pdf_icon

NGTB03N60R2DT4G

NGTB05N60R2DT4G IGBT www.onsemi.com 600V, 8A, N-Channel Features Electrical Connection Reverse Conducting II IGBT N-Channel IGBT VCE(sat)=1.65V (typ) [IC=5A, VGE=15V] 2,4 IGBT tf=95ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=5A] Diode trr=70ns (typ) 5 s Short Circuit Capability 1 1 Gate 2 Collector Applications 3 Emitter 3 4 Collector Ge

Другие IGBT... ISL9V3040D3STV, ISL9V5036P3-F085, ISL9V5036S3S, ISL9V5036P3, ISL9V5036S3, ISL9V5045S3S, ISL9V5045S3, ISL9V5045S3ST-F085, YGW75N65F1, NGTB05N60R2DT4G, NGTB10N60R2DT4G, NGTB15N135IHRWG, NGTB15N60S1EG, NGTB25N120FL3WG, NGTB40N120L3WG, NGTB40N65FL2WG, NGTG15N60S1EG