Справочник IGBT. NGTB03N60R2DT4G

 

NGTB03N60R2DT4G - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NGTB03N60R2DT4G
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: GTB0360R
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 17 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 17 nC
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для NGTB03N60R2DT4G

 

 

NGTB03N60R2DT4G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:596K  onsemi
 ngtb03n60r2dt4g.pdf

NGTB03N60R2DT4G NGTB03N60R2DT4G

NGTB03N60R2DT4G IGBT 600V, 4.5A, N-Channel www.onsemi.com Features Electrical Connection Reverse Conducting II IGBT N-Channel IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=3A, VGE=15V] 2,4 IGBT tf=75ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=3A] Diode trr=65ns (typ) 5s Short Circuit Capability 11:Gate2:CollectorApplications 3:Emitter3 General Pur

 9.1. Size:615K  onsemi
 ngtb05n60r2dt4g.pdf

NGTB03N60R2DT4G NGTB03N60R2DT4G

NGTB05N60R2DT4G IGBT www.onsemi.com 600V, 8A, N-Channel Features Electrical Connection Reverse Conducting II IGBT N-Channel IGBT VCE(sat)=1.65V (typ) [IC=5A, VGE=15V] 2,4 IGBT tf=95ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=5A] Diode trr=70ns (typ) 5s Short Circuit Capability 11:Gate2:CollectorApplications 3:Emitter34:Collector Ge

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top