Справочник IGBT. AIGW50N65F5

 

AIGW50N65F5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIGW50N65F5
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: AG50EF5
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.66 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 51 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 108 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AIGW50N65F5

 

 

AIGW50N65F5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1788K  infineon
 aigw50n65f5.pdf

AIGW50N65F5 AIGW50N65F5

AIGW50N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed F5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltage Low gate charge Q GG Maximum junction temperature 175C E Dynamically stress tested Qualified accord

 5.1. Size:1782K  infineon
 aigw50n65h5.pdf

AIGW50N65F5 AIGW50N65F5

AIGW50N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs 650V breakdown voltage G Low gate charge Q EG Maximum junction temperature

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top