Справочник IGBT. AIGW50N65F5

 

AIGW50N65F5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIGW50N65F5
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: AG50EF5
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.66 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 51 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 108 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

AIGW50N65F5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1788K  infineon
 aigw50n65f5.pdf pdf_icon

AIGW50N65F5

AIGW50N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed F5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltage Low gate charge Q GG Maximum junction temperature 175C E Dynamically stress tested Qualified accord

 5.1. Size:1782K  infineon
 aigw50n65h5.pdf pdf_icon

AIGW50N65F5

AIGW50N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs 650V breakdown voltage G Low gate charge Q EG Maximum junction temperature

Другие IGBT... NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , GT30J124 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT .

History: GT8G121LB

 

 
Back to Top

 


 
.