Справочник IGBT. AIGW50N65F5

 

AIGW50N65F5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIGW50N65F5
   Тип транзистора: IGBT
   Маркировка: AG50EF5
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 270
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.66
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 12
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 51
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 108
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AIGW50N65F5

 

 

AIGW50N65F5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1788K  infineon
 aigw50n65f5.pdf

AIGW50N65F5 AIGW50N65F5

AIGW50N65F5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed F5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltage Low gate charge Q GG Maximum junction temperature 175C E Dynamically stress tested Qualified accord

 5.1. Size:1782K  infineon
 aigw50n65h5.pdf

AIGW50N65F5 AIGW50N65F5

AIGW50N65H5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technologyFeatures and Benefits: C High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTs 650V breakdown voltage G Low gate charge Q EG Maximum junction temperature

Другие IGBT... NGTB25N120FL3WG , NGTB40N120L3WG , NGTB40N65FL2WG , NGTG15N60S1EG , 2A200HB12C2F , 2A300HB12C2F , 2A400HB12C2F , AIGW40N65H5 , GT50JR22 , AIGW50N65H5 , AIHD04N60R , AIHD06N60R , AIHD10N60R , AIHD15N60R , AIHD15N60RF , AIKB20N60CT , AIKP20N60CT .

 

 
Back to Top