Справочник IGBT. AIKW40N65DF5

 

AIKW40N65DF5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AIKW40N65DF5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: AK40EDF5
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 250
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 74
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.6
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 11
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 50
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 95
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для AIKW40N65DF5

 

 

AIKW40N65DF5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1992K  infineon
 aikw40n65df5.pdf

AIKW40N65DF5 AIKW40N65DF5

AIKW40N65DF5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits: High speed F5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies 650V breakdown voltageG Low gate charge QGE IGBT copacked with RAPID 1 f

 4.1. Size:1996K  infineon
 aikw40n65dh5.pdf

AIKW40N65DF5 AIKW40N65DF5

AIKW40N65DH5High speed switching series fifth generationHigh speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology copacked withRAPID 1 fast and soft antiparallel diodeCFeatures and Benefits: High speed H5 technology offering: Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies Plug and play replacement of previous generation IGBTsG 650V breakdown voltageE

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top