Справочник IGBT. IHW25N120E1

 

IHW25N120E1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW25N120E1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H25ME1
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 37 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 147 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IHW25N120E1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IHW25N120E1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1893K  infineon
 ihw25n120e1.pdf pdf_icon

IHW25N120E1

Resonant Soft-Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body Diode for soft-switchingIHW25N120E1Data sheetIndustrial Power ControlIHW25N120E1Resonant Soft-Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic body diode with low forward voltagedesigned for soft commutation only TRENCHSTOPTM technology applic

 5.1. Size:402K  infineon
 ihw25n120r2.pdf pdf_icon

IHW25N120E1

IHW25N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior NPT technolog

 5.2. Size:402K  infineon
 ihw25n120r2g.pdf pdf_icon

IHW25N120E1

IHW25N120R2 Soft Switching Series Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode CFeatures: Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage Body diode clamps negative voltages Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers : GE - very tight parameter distribution - high ruggedness, temperature stable behavior NPT technolog

Другие IGBT... IGW30N60TP , IGW40N60DTP , IGW50N60TP , IGW75N65H5 , IGZ100N65H5 , IGZ50N65H5 , IGZ75N65H5 , IHFW40N65R5S , FGH75T65UPD , IHW30N120R5 , IHW30N135R5 , IHW30N160R5 , IHW30N65R5 , IHW40N120R5 , IHW40N135R5 , IKA08N65ET6 , IKA10N65ET6 .

History: MG10Q6ES50A | MG1215H-XBN2MM

 

 
Back to Top

 


 
.