Справочник IGBT. IHW30N65R5

 

IHW30N65R5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW30N65R5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H30ER5
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 176
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.35
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 17
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 34
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 153
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHW30N65R5

 

 

IHW30N65R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2100K  infineon
 ihw30n65r5.pdf

IHW30N65R5 IHW30N65R5

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW30N65R5Data sheetIndustrial Power ControlIHW30N65R5Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forwardvoltage TRENCHSTOPTM technology offers:- very tight parameter distributionG- high ru

 7.1. Size:130K  vishay
 sihw30n60e.pdf

IHW30N65R5 IHW30N65R5

SiHW30N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.125 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 130 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 39

 7.2. Size:360K  infineon
 ihw30n60t-d10rev2 2.pdf

IHW30N65R5 IHW30N65R5

IHW30N60T Soft Switching Series q Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop technology with optimised diode Features: C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s GE TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, te

 7.3. Size:540K  infineon
 ihw30n60t.pdf

IHW30N65R5 IHW30N65R5

IHW30N60TSoft Switching Series qLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP technology with optimised diodeFeatures:C Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s TRENCHSTOP and Fieldstop technology for 600V applications offers :G- very tight parameter distributionE- high ruggedness, temperature stable b

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top