Справочник IGBT. IHW30N65R5

 

IHW30N65R5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IHW30N65R5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: H30ER5
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 176 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 153 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IHW30N65R5

 

 

IHW30N65R5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2100K  infineon
 ihw30n65r5.pdf

IHW30N65R5 IHW30N65R5

Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeIHW30N65R5Data sheetIndustrial Power ControlIHW30N65R5Resonant Switching SeriesReverse conducting IGBT with monolithic body diodeCFeatures: Powerful monolithic reverse-conducting diode with low forwardvoltage TRENCHSTOPTM technology offers:- very tight parameter distributionG- high ru

 7.1. Size:130K  vishay
 sihw30n60e.pdf

IHW30N65R5 IHW30N65R5

SiHW30N60Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Figure-of-Merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 650 Low Input Capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.125 Reduced Switching and Conduction LossesQg max. (nC) 130 Ultra Low Gate Charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche Energy Rated (UIS)Qgd (nC) 39

 7.2. Size:360K  infineon
 ihw30n60t-d10rev2 2.pdf

IHW30N65R5 IHW30N65R5

IHW30N60T Soft Switching Series q Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop technology with optimised diode Features: C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5s GE TrenchStop and Fieldstop technology for 600 V applications offers : - very tight parameter distribution - high ruggedness, te

 7.3. Size:540K  infineon
 ihw30n60t.pdf

IHW30N65R5 IHW30N65R5

IHW30N60TSoft Switching Series qLow Loss DuoPack : IGBT in TRENCHSTOP technology with optimised diodeFeatures:C Very low VCE(sat) 1.5V (typ.) Maximum Junction Temperature 175C Short circuit withstand time 5s TRENCHSTOP and Fieldstop technology for 600V applications offers :G- very tight parameter distributionE- high ruggedness, temperature stable b

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top