Справочник IGBT. IKB30N65ES5

 

IKB30N65ES5 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKB30N65ES5
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 62 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 12 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
   Тип корпуса: TO263
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IKB30N65ES5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1548K  infineon
 ikb30n65es5.pdf pdf_icon

IKB30N65ES5

IKB30N65ES5High speed switching series 5th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 fast and soft anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.35V at nominal currentCEsat 650V breakdown voltageG Low

 5.1. Size:1556K  infineon
 ikb30n65eh5.pdf pdf_icon

IKB30N65ES5

IKB30N65EH5High speed switching series 5th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies 650V breakdown voltageG Low QGE IGBT copacked with full rated current RAPID 1 fas

Другие IGBT... IHW40N120R5 , IHW40N135R5 , IKA08N65ET6 , IKA10N65ET6 , IKA15N65ET6 , IKB15N65EH5 , IKB20N65EH5 , IKB30N65EH5 , XNF15N60T , IKB40N65EF5 , IKB40N65EH5 , IKB40N65ES5 , IKD06N60RF , IKD15N60RC2 , IKFW40N60DH3E , IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E .

History: IRGP4266 | STGFW30H65FB | SGM100HF12A1TFDT4 | 2MBI200N-060 | MSG20T65HPT1 | IRGS4640D | BLG60T65FDK-K

 

 
Back to Top

 


 
.