Справочник IGBT. IKB30N65ES5

 

IKB30N65ES5 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKB30N65ES5
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K30EES5
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 188
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 62
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.35
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 4.8
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 12
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 55
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 70
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IKB30N65ES5

 

 

IKB30N65ES5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1548K  infineon
 ikb30n65es5.pdf

IKB30N65ES5 IKB30N65ES5

IKB30N65ES5High speed switching series 5th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 fast and soft anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed S5 technology offering High speed smooth switching device for hard & soft switching Very Low V , 1.35V at nominal currentCEsat 650V breakdown voltageG Low

 5.1. Size:1556K  infineon
 ikb30n65eh5.pdf

IKB30N65ES5 IKB30N65ES5

IKB30N65EH5High speed switching series 5th generationTRENCHSTOPTM 5 high speed switching IGBT copacked with full ratedcurrent RAPID 1 anti parallel diodeCFeatures and Benefits:High speed H5 technology offering Best-in-Class efficiency in hard switching and resonanttopologies 650V breakdown voltageG Low QGE IGBT copacked with full rated current RAPID 1 fas

Другие IGBT... IHW40N120R5 , IHW40N135R5 , IKA08N65ET6 , IKA10N65ET6 , IKA15N65ET6 , IKB15N65EH5 , IKB20N65EH5 , IKB30N65EH5 , TGAN20N135FD , IKB40N65EF5 , IKB40N65EH5 , IKB40N65ES5 , IKD06N60RF , IKD15N60RC2 , IKFW40N60DH3E , IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E .

 

 
Back to Top