Справочник IGBT. IKFW60N60DH3E

 

IKFW60N60DH3E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKFW60N60DH3E
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 141 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 53 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 98 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IKFW60N60DH3E

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKFW60N60DH3E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2002K  infineon
 ikfw60n60dh3e.pdf pdf_icon

IKFW60N60DH3E

IKFW60N60DH3ETRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat) Low EMIG Very soft, fast recovery anti-parallel

 5.1. Size:2008K  infineon
 ikfw60n60eh3.pdf pdf_icon

IKFW60N60DH3E

IKFW60N60EH3TRENCHSTOPTM Advanced IsolationHigh speed switching series third generation IGBT copacked with Rapid 1fast and soft antiparallel diode in fully isolated packageCFeatures:TRENCHSTOP technology offers : Low VCE(sat) Short circuit withstand time 5s at T = 175Cvj Positive temperature coefficient in VCE(sat)G Low EMIE Very soft, fast

Другие IGBT... IKB40N65ES5 , IKD06N60RF , IKD15N60RC2 , IKFW40N60DH3E , IKFW50N60DH3 , IKFW50N60DH3E , IKFW50N60ET , IKFW50N65DH5 , MBQ50T65FESC , IKFW60N60EH3 , IKFW75N60ET , IKFW90N60EH3 , IKFW90N65ES5 , IKP20N60TA , IKP28N65ES5 , IKP39N65ES5 , IKP40N65H5 .

History: STGB3NC120HD

 

 
Back to Top

 


 
.