Справочник IGBT. IKQ40N120CH3

 

IKQ40N120CH3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IKQ40N120CH3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: K40MCH3
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 500
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 46
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 235
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 190
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IKQ40N120CH3

 

 

IKQ40N120CH3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1603K  infineon
 ikq40n120ch3.pdf

IKQ40N120CH3 IKQ40N120CH3

IKQ40N120CH3High speed switching series third generation IGBTLow switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fastrecovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diodeCFeatures:High speed H3 technology offers: High efficiency in hard switching and resonant topologies 10sec short circuit withstand time at T =175Cvj Easy parallel

 4.1. Size:1635K  infineon
 ikq40n120ct2.pdf

IKQ40N120CH3 IKQ40N120CH3

IKQ40N120CT2TRENCHSTOPTM 2 low V second generation IGBTce(sat)Low V IGBT in TRENCHSTOP 2 technology copacked with soft, fastce(sat)recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled DiodeCFeatures:TRENCHSTOP 2 technology offers: Very low V , 1.75V at nominal currentCE(sat) 10sec short circuit withstand time at T =175Cvj Easy paralleling cap

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top