IKQ40N120CH3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKQ40N120CH3  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 46 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 235 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKQ40N120CH3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKQ40N120CH3 даташит

 ..1. Size:1603K  infineon
 ikq40n120ch3.pdf pdf_icon

IKQ40N120CH3

IKQ40N120CH3 High speed switching series third generation IGBT Low switching losses IGBT in Highspeed3 technology copacked with soft, fast recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled diode C Features High speed H3 technology offers High efficiency in hard switching and resonant topologies 10 sec short circuit withstand time at T =175 C vj Easy parallel

 4.1. Size:1635K  infineon
 ikq40n120ct2.pdf pdf_icon

IKQ40N120CH3

IKQ40N120CT2 TRENCHSTOPTM 2 low V second generation IGBT ce(sat) Low V IGBT in TRENCHSTOP 2 technology copacked with soft, fast ce(sat) recovery full current rated anti-parallel Emitter Controlled Diode C Features TRENCHSTOP 2 technology offers Very low V , 1.75V at nominal current CE(sat) 10 sec short circuit withstand time at T =175 C vj Easy paralleling cap

Другие IGBT... IKFW90N65ES5, IKP20N60TA, IKP28N65ES5, IKP39N65ES5, IKP40N65H5, IKW40N65H5, IKQ100N60T, IKQ120N60T, RJP63K2DPP-M0, IKQ40N120CT2, IKQ50N120CH3, IKQ50N120CT2, IKQ75N120CS6, IKQ75N120CT2, IKW15N120BH6, IKW30N60DTP, IKW30N65ES5