IKW30N60DTP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IKW30N60DTP  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 53 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 21 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 58 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IKW30N60DTP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IKW30N60DTP даташит

 ..1. Size:1541K  infineon
 ikw30n60dtp.pdf pdf_icon

IKW30N60DTP

IGBT TRENCHSTOPTM Performance technology copacked with RAPID 1 fast anti-parallel diode IKW30N60DTP 600V DuoPack IGBT and diode TRENCHSTOPTM Performance series Data sheet Industrial Power Control IKW30N60DTP TRENCHSTOPTM Performance Series High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology C Features TRENCHSTOPTM technology offering very low V CEsat low turn-off losses

 6.1. Size:1976K  infineon
 aikw30n60ct.pdf pdf_icon

IKW30N60DTP

AIKW30N60CT TRENCHSTOPTM Series Low Loss DuoPack IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode C Features Automotive AEC-Q101 qualified Designed for DC/AC converters for Automotive Application Very low V 1.5V (typ.) CE(sat) Maximum junction temperature 175 C G Dynamically stress tested E Shor

 6.2. Size:1641K  infineon
 ikw30n60h3 rev1 2g.pdf pdf_icon

IKW30N60DTP

IGBT High speed DuoPack IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode IKW30N60H3 600V high speed switching series third generation Datasheet Industrial & Multimarket IKW30N60H3 High speed switching series third generation High speed DuoPack IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode C Features TREN

 6.3. Size:899K  infineon
 ikw30n60trev2 3g.pdf pdf_icon

IKW30N60DTP

IKW30N60T TrenchStop Series q Low Loss DuoPack IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode C Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.) Maximum Junction Temperature 175 C Short circuit withstand time 5 s G E Designed for - Frequency Converters - Uninterruptible Power Supply TrenchStop and Fi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IKQ120N60T, IKQ40N120CH3, IKQ40N120CT2, IKQ50N120CH3, IKQ50N120CT2, IKQ75N120CS6, IKQ75N120CT2, IKW15N120BH6, FGH40N60SFD, IKW30N65ES5, IKW40N120CS6, IKW40N60DTP, IKW40N65ES5, IKW50N60DTP, IKW50N65EH5, IKW75N60H333, IKW75N65EH5